1729 |
Entdeckung des Unterschiedes zwischen elektrischen Leitern und Nichtleitern: S. Gray. |
1811 |
Darstellung von Silizium (für die spätere Halbleitertechnik ein wichtiger Halbleiterwerkstoff): L. J. Gay-Lussac und L. J. de Thenard. |
1817 |
Darstellung des Selens (für die weitere Halbleiterentwicklung in den 1920er bis 1950er Jahren ein wichtiger Halbleiterwerkstoff, z. B. für Selen-Gleichrichter und Selen-Fotodioden und Fotowiderstände): J. J. Berzelius. |
1833 |
Entdeckung des negativen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes von Silbersulfid (wesentliches Merkmal von Halbleitern), Ausdehnung dieser Beobachtung auf Antimonoxid, Quecksilberjodid und auf Bleisulfid: M. Faraday. |
1851 |
Untersuchung der elektrischen Leitfähigkeit des Selens, Feststellen eines negativen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes: J. W. Hittorf. |
1873 |
Nutzung des Selens für die Prüfung der elektrischen Leitfähigkeit von Kabeln, dabei Entdeckung der Abhängigkeit der Leitfähigkeit nicht nur von der Temperatur, sondern auch von der umgebenden Helligkeit (Urform des Fotowiderstandes): W. Smith. |
1874 |
1874 - 1883 Untersuchung der Stromleitung durch Schwefelmetalle, Beobachtung des Einflusses der Kontaktstellen und der Kontaktmaterialien (impliziter Hinweis auf die spätere Randschichttheorie von W. Schottky): F. Braun. |
1879 |
Entdeckung der Ablenkung von fließenden Elektronen in einem Metall durch ein Magnetfeld senkrecht zur Flussrichtung (Hall-Effekt, später als wichtige Messmöglichkeit zur Feststellung des Leitfähigkeitstyps von Halbleitern entwickelt):E. H. Hall. |
1906 |
ab 1906 Verwendung von Detektoren (HL-Gleichrichtern) zur Signalgleichrichtung in der Funkempfangstechnik. |
1911 |
Einführung des Begriffs Halbleiter in die elektrophysikalische Begriffswelt: J. Koenigsberger und J. Weiss. |
1918 |
Entwicklung des Verfahrens zum Ziehen von Einkristallen aus der Schmelze durch J. Czochralski. |
1923 |
Vorschlag zur Nutzung der unter bestimmten Bedingungen fallenden Strom- Spannungs-Kennlinie von Halbleiterdetektoren für die Schwingungserzeugung (Verstärkerwirkung): O. W. Lossew. |
1925 |
Entwicklung des Selengleichrichters durch E. Presser. |
1925 |
Verwendung von Germanium als Halbleitermaterial: E. Meritt. |
1926 |
Einreichen des US-Patentes zur Steuerung des Ladungsträgerflusses in einem Halbleiter durch elektrostatische Influenz (Prinzip des Feldeffekttransistors): J. E. Lilienfeld. |
1926 |
Entwicklung des Kupferoxidulgleichrichters durch L. O. Grondahl. |
1930 |
Anmeldung eines Patentes zur Steuerung des Durchlassstromes von Trockengleichrichtern durch Einfügen einer Steuerelektrode (Grundprinzip des Thyristors): Glaser, AEG. |
1931 |
Einführung des Begriffs Defektelektronen zur Bezeichnung beweglicher positiver Ladungsträger in Halbleitern und an Grenzschichten: W. Heisenberg. |
1931 |
Erklärung des Leitungsmechanismus in Halbleitern mit Hilfe des Bändermodelles durch A. H. Wilson. |
1934 |
Vorschlag und Patentanmeldung in den USA für einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate durch O. Heil. |
1938 |
Erklärung der Gleichrichterwirkung und mathematisch-physikalische Beschreibung von Metall-Halbleiter-Übergängen auf der Grundlage der Randschichttheorie: W. Schottky. |
1938 |
Annahme einer gleichrichtenden Wirkung an einer Übergangsschicht zwischen zwei Halbleitern unterschiedlichen Leitungstyps (Voraussage des PN-Überganges) durch B. Dawydow. |
1938 |
Vorschlag für einen Halbleiterverstärker in Analogie zur Elektronenröhre durch Einfügen eines Steuergitters in eine Halbleiterdiode: R. Hilsch und R. W. Pohl. |
1939 |
Voraussage der Möglichkeit eines Verstärkers auf Halbleiterbasis (Eintragung in sein Arbeitsbuch): W. B. Shockley. |
1940 |
Dotierung von N- und P-Silizium und Erfindung der Siliziumdiode: R. S. Ohl. |
1942 |
Anmeldung eines Patentes zur Fertigung von Germaniumdioden: H. Welker. |
1945 |
Anmeldung eines Patentes für einen Sperrschichtfeldeffekttransistor: H. Welker. |
1946 |
1946/1947 Forschungen zu den elektrischen Eigenschaften an Halbleiteroberflächen und -grenzschichten, Einführung des Begriffes Oberflächenzustände für alle elektrisch bedeutsamen Besonderheiten an diesen Schichten durch J. Bardeen. |
1947 |
Erfindung des Punktkontakttransistors, Vorführung eines funktionierenden Nie- derfrequenzverstärkers mit Punktkontakttransistoren: J. Bardeen und W. H. Brattain. |
1947 |
Ausarbeitung der Theorie des flächenhaften PN-Überganges und des Bipo-lartransistors mit flächenhaften PN-Übergängen: W. B. Shockley. |
1948 |
Erste wissenschaftliche Veröffentlichung über den Transistor im "Physical Review", "The transistor, a semiconductor triode", Autoren: J. Bardeen und W. H. Brattain. |
1948 |
US-Patentanmeldung des Punktkontakttranistors durch J. Bardeen und W. H. Brattain, erteilt 1950. |
1948 |
US-Patentanmeldung zum Flächenkontakttransistor durch W. B. Shockley, erteilt 1951. |
1948 |
Einführung des Begriffes Transistor, geschaffen aus den beiden Worten Transfer und Resistor, Vorschlag von J. R. Pierce, Mitglied der Halbleiterforschungsgruppe der Bell Laboratories. |
1948 |
Erscheinen der ersten Monographie zur Halbleitertechnik "Crystal Rectifiers", Autoren: H. C. Torrey und C. A. Whitmer. |
1949 |
Berechnung des Strom-Spannungs-Verhaltens von PN-Übergängen und Flächentransistoren unter Annahme vereinfachter Bedingungen zum Dotierungsverlauf usw. durch W. B. Shockley. |
1950 |
Erstauflage des grundlegenden Lehrbuches zur Transistorelektronik "Electrons and holes in semiconductors", Autor: W. B. Shockley. |
1950 |
Entwicklung von Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkristallen durch Diffusion, z. B. mit Bor und Phosphor durch R. N. Hall und W. C. Dunlap bei der Firma General Electric. |
1950 |
Entwicklung des Legierungsverfahrens zum Dotieren von Germanium durch W. G. Pfann bei der Firma Western Electric und R. N. Hall und W. C. Dunlap bei General Electric. |
1950 |
Züchtung von Germanium-Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren durch G. K. Teal und J. B. Little bei den Bell Laboratories. |
1950 |
1950/1951 Ziehen von Silizium-Einkristallen durch G. K. Teal und E. Buehler bei den Bell Laboratories. |
1950 |
1950 bis Ende der 1950er Jahre Durchführung verschiedener Entwicklungsprogramme in den USA im Auftrag des Militärs und der NASA (Molekularelektronikkonzept) zur Miniaturisierung von elektronischen Schaltungen, mit dem Übergang zur Halbleiterblocktechnik wurde diese bis auf wenige Spezialanwendungen nicht weiter verfolgt. |
1951 |
Erstmalige Herstellung von NPN-Flächentransistoren durch Umdotieren und Ziehen aus der Schmelze (grown crystal method): W. B. Shockley, M. Sparks und G. Teal bei den Bell Laboratories. |
1951 |
Beginn der industriemäßigen Herstellung von Ge-Punktkontakttransistoren durch die Firmen Western Electric, Raytheon, RCA, General Electric, Radio Receptor. |
1952 |
Entwicklung des Zonenschmelzverfahrens zur Herstellung hochreinen Siliziums durch W. G. Pfann bei den Bell Laboratories. |
1952 |
Aufstellen eines Modells zur Generation und Rekombination von Ladungsträgern in der verbotenen Zone des Bändermodells eines Halbleiters (Shockley-Read-Modell) durch W. B. Shockley und W. T. Read. |
1952 |
Entwurf des Prinzips des Sperrschichtfeldeffekttransistors durch W. B. Shockley. |
1952 |
Industriemäßige Herstellung von Germanium-Flächentransistoren nach dem Legierungsverfahren durch General Electric und RCA. |
1952 |
Untersuchung neuer halbleitender Verbindungen (AIII-B-V-Verbindungen): H. Welker. |
1953 |
Entwicklung des Prinzips des Drifttransistors (Erzeugung eines inneren elektrischen Feldes durch entsprechende Dotierung der Basiszone) zur Erhöhung der Grenzfrequenz von Transistoren: H. Kroemer. |
1954 |
Industriemäßige Herstellung von Silizium-Flächentransistoren nach dem Legierungsverfahren bei Texas Instruments. |
1955 |
Grundlegende Untersuchungen zum Oxid-Maskenverfahren zur Strukturierung von Silizium-Halbleiterscheiben (Planarprozess) durch L. J. Derick und C. J. Frosch bei Western Electric. |
1956 |
Realisierung des gesteuerten Siliziumgleichrichters (Thyristor) als P-N-P-N-Struktur durch J. L. Moll. |
1956 |
Ausarbeitung des Prinzips des Germanium-Mesa-Transistors durch C. A. Lee und des Silizium-Mesa-Transistors durch M. Tanenbaum und C. A. Lee. Mesa-Strukturen werden durch eine spezielle Ätztechnik realisiert. Im Ergebnis entstehen Transistoren für Anwendungen im Bereich von mehreren hundert MHz, wichtig für den UHF- Bereich des Fernsehens. |
1956 |
Verleihung des Nobelpreises für Physik für die wissenschaftlichen Leistungen zur Erfindung des Transistors an J. Bardeen, W. H. Brattain und W. B. Shockley. |
1957 |
Patentanmeldung des Feldeffekttransistors mit isolierter Steuerelektrode (MISFET) durch J. Wallmark. |
1958 |
Industriemäßige Herstellung von Germanium-Mesatransistoren durch Western Electric. |
1958 |
Ausarbeitung der Technologie des Silizium-Planarprozesses durch V. Grinich und J. Hoerni bei der Firma Fairchild. Der Si-Planarprozess sollte die wichtigste technologische Voraussetzung für die massenhafte Herstellung von Siliziumtransistoren und von integrierten Schaltkreisen auf Si-Basis werden. |
1958 |
Aufbau eines Flip-Flop aus diskreten, nur aus Silizium bestehenden Bauelementen. Entwicklung von Vorstellungen zur Realisierung einer Schaltung (Transistoren, Widerständen und Kondensatoren) aus einem Stück Halbleitermaterial (Germanium) durch J. Kilby (Texas Instruments). 1959 Patentanmeldung unter dem Titel "Miniaturized electronic circuits", erteilt 1964. |
1959 |
industriemäßige Herstellung von Silizium-Planartransistoren. |
1959 |
Integrationskonzept von R. Noyce (Fairchild) unter Nutzung der Silizium-Planartechnologie, Realisierung aller Bauelemente (Transistoren, Widerstände und Kondensatoren) in einem Stück Silizium. Patentanmeldung 1959 unter dem Titel "Semiconducor device-and-lead structure", erteilt 1961. |
1959 |
In den USA Erreichen des gleichen Produktionsvolumens von Transistoren wie von Elektronenröhren. Es werden ca. 180 Millionen Ge-Transistoren und 13 Millionen Si-Transistoren hergestellt. |
1961 |
Von 1961 bis 1966 Entwicklung der wichtigsten Logikschaltungen als Integrierte Schaltkreise (1961 RTL, 1961 TTL, 1961 TCTL, 1963 SUHL, 1963 ECL, 1966 TTL). |
1962 |
Realisierung des MOS-Feldeffekttransistors (MOS steht für die Schichtfolge der Gateelektrodenanordnung (Metal)-Oxid-Semiconductor): T. P. Heiman, S. R. Hofstein. |
1962 |
Herstellung von 300 000 Integrierten Schaltkreisen für das Minuteman-2-Programm (Raketenbau der USA) durch die Firma Texas Instruments. |
1963 |
Industriemäßige Herstellung von MOS-Feldeffekttransistoren und MOS-Schalt-kreisen durch RCA. |
1968 |
Aufnahme der Großproduktion von MOS-Schaltkreisen. |
1970 |
Entwicklung der Silizium-Gate-Technologie durch F. Faggin bei Fairchild, Möglichkeit der effektiven Massenherstellung von MOS-Schaltkreisen und Verringerung der Betriebsspannungen, Vervollkommnung der Technologie durch die Firma Intel. |
1971 |
Herstellung von ca. 635 Millionen Integrierten Schaltkreisen in den USA. Scheibengröße in der Fertigung 1 Zoll. |
1971 |
Entwicklung der EPROM-Speicherzelle durch D. Frohman bei Intel. |
1971 |
Entwicklung des 4-Bit-Mikroprozessors als universellem Rechnerschaltkreis: T. Hoff und F. Faggin bei Intel. Die Firma Intel erhielt vom japanischen Rechenmaschinenhersteller Busicom den Auftrag zur Entwicklung eines kundenspezifischen Schaltkreises für einen Taschenrechner, bei dem alle Bausteine auf einem Chip unterzubringen sind. Das Ergebnis war die Entwicklung eines programmierbaren Mehrzweckchips durch T. Hoff, Ausarbeitung der Technologie durch F. Faggin, der Prozessor i 4004: 4-Bit-Mikroprozessor, ca. 2 300 Transistoren, Strukturbreite 10 (m, aktive Chipfläche ca. 10 mm2. |
1974 |
Intel bringt den ersten 8-Bit-Prozessor 8080 auf den Markt, mit dem der Durchbruch des Mikroprozessors als programmierbare zentrale Recheneinheit eines Minicomputers einsetzt (8-Bit-Mikroprozessor, ca. 6 000 Transistoren, Einsatz im ersten PC "MITS Altair"), 1975 Verkauf von 2 000 Bausätzen. |
1978 |
Entwicklung des 16-Bit-Mikroprozessors durch Intel, 19 000 Transistoren. |
1979 |
Formulierung des Moore_schen|Moore'schen]] "Gesetzes", nach dem sich die Bauelementeanzahl pro Chip (Integrationsgrad) pro Jahr verdoppelt, nachgewiesen durch G. Moore für die Jahre 1960 bis 1978. |
1984 |
Entwicklung des ersten 32-Bit-Prozessors MC 6810 durch Motorola, 190 000 Transistoren pro Chip. |
1985 |
Verleihung des Nobelpreises für Physik an K. v. Klitzing (Forschungen zum quantifizierten Halleffekt). |
1986 |
Beginn der Massenfertigung des 1-Megabit-Speicherchips. Die Entwicklung der Halbleiterspeicherchips (Kennzeichen für die Halbleitertechnologieentwicklung) erfolgte grob skizziert in folgenden Schritten: 1978 16 Kbit, 1980 64 Kbit, 1984 256 Kbit, 1994 16 Megabit, 1998 64 Megabit. |
1993 |
Entwicklung des Pentium-Prozessors durch Intel mit 3,1 Mill. Transistoren pro Chip, Strukturbreite 800 nm, später 350 nm. Beim Einsatz des Prozessors ergaben sich Probleme, da teilweise Divisionen nicht fehlerfrei durchgeführt wurden. |
2000 |
Verleihung des Nobelpreises für Physik an J. Kilby (Integrierter Schaltkreis) und H. Kroemer (Entwicklung schneller Halbleiterstrukturen). |
2002 |
Entwicklung des Pentium-IV-Prozessors durch Intel, ca. 55. Millionen Transistoren. Strukturbreite 130 nm. |
2003 |
Fertigung des 1-Gigabit-Speichers (d. h. mehr als 109 Bauelemente pro Chip), Scheibengröße in der Fertigung 12 Zoll. |