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Stichwort: Noyce
1959 - Integrationskonzept von R. Noyce (Fairchild) unter Nutzung der Silizium-Planartechnologie, Realisierung aller Bauelemente (Transistoren, Widerstände und Kondensatoren) in einem Stück Silizium. Patentanmeldung 1959 unter dem Titel "Semiconducor device-and-lead structure", erteilt 1961.
1959 - US-Pat.: Integrierte Schaltung auf Basis der Silizium-Planartechnologie, ab 1961 ausgeführt: R. N. Noyce bei Fairchild Semiconductor
1968 - Intel-Corporation in Santa Barbara von R. N. Noyce und anderen gegründet
1970 - Erster integrierter Halbleiterspeicher, 1024 binäre Daten auf ca. 10 mm2: R. N. Noyce und andere bei Intel Corporation
Zuletzt geändert am 20.07.2016 16:46 von VDE\Administrator