Chronik der Elektrotechnik

Stichwort: Fairchild

1958 - Ausarbeitung der Technologie des Silizium-Planarprozesses durch V. [[Begriff_Grinich|Grinich und J. Hoerni bei der Firma Fairchild. Der Si-Planarprozess sollte die wichtigste technologische Voraussetzung für die massenhafte Herstellung von Siliziumtransistoren und von integrierten Schaltkreisen auf Si-Basis werden.]]
1959 - Integrationskonzept von R. [[Begriff_Noyce|Noyce (Fairchild) unter Nutzung der Silizium-Planartechnologie, Realisierung aller Bauelemente (Transistoren, Widerstände und Kondensatoren) in einem Stück Silizium. Patentanmeldung 1959 unter dem Titel "Semiconducor device-and-lead structure", erteilt 1961.]]
1970 - Entwicklung der Silizium-Gate-Technologie durch F. [[Begriff_Faggin|Faggin bei Fairchild, Möglichkeit der effektiven Massenherstellung von MOS-Schaltkreisen und Verringerung der Betriebsspannungen, Vervollkommnung der Technologie durch die Firma Intel.]]