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Stichwort: Hofstein
1962 - Realisierung des MOS-Feldeffekttransistors (MOS steht für die Schichtfolge der Gateelektrodenanordnung (Metal)-Oxid-Semiconductor): T. P. [[Begriff_Heiman|Heiman
, S. R. Hofstein.]]
Zuletzt geändert am 20.07.2016 16:44 von VDE\Administrator