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Halbleiter_Transistoren_und_Mikroelektronik
Energierecht
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Stichwort: Hall
1852 - Th. Hall baut in USA ein kleines Schienenfahrzeug
1879 - Entdeckung der Ablenkung von fließenden Elektronen in einem Metall durch ein Magnetfeld senkrecht zur Flussrichtung (Hall-Effekt, später als wichtige Messmöglichkeit zur Feststellung des Leitfähigkeitstyps von Halbleitern entwickelt):E. H. Hall.
1879 - Galvano-magnet. [[Begriff_Hall|Hall
-Effekt, Grundlagen-Effekt der Mikroelektronik: E. H.
Hall
(vgl. 1980)]]
1879 - Galvano-magnet. Hall-Effekt, Grundlagen-Effekt der Mikroelektronik: E. H. Hall (vgl. 1980)
1879 - W. [[Begriff_Siemens|Siemens
spricht von „Elektrotechnik“. E. Hall entdeckt in USA einen Strom-Magnetfeld Effekt]]
1886 - 9.7.1886 Patentanmeldung: Aluminium-Elektrolyse: Ch. M. Hall
1886 - Patentanmeldung: Aluminium-Elektrolyse mit Kryolith: P. L. [[Begriff_Heroult|Héroult
, kurz darauf C. M. Hall]]
1950 - Entwicklung des Legierungsverfahrens zum Dotieren von Germanium durch W. G. [[Begriff_Pfann|Pfann
bei der Firma
Western Electric
und R. N. Hall und W. C. Dunlap bei General Electric.]]
1950 - Entwicklung von Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkristallen durch Diffusion, z. B. mit Bor und Phosphor durch R. N. Hall und W. C. Dunlap bei der Firma General Electric.
1962 - Erster Halbleiterlaser aus Galliumarsenid realisiert von R. N. Hall, W. P. Nathan und T. M. Quist
Zuletzt geändert am 20.07.2016 16:44 von VDE\Administrator