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Halbleiter_Transistoren_und_Mikroelektronik
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Stichwort: Shockley
1939 - Voraussage der Möglichkeit eines Verstärkers auf Halbleiterbasis (Eintragung in sein Arbeitsbuch): W. B. Shockley.
1947 - Ausarbeitung der Theorie des flächenhaften PN-Überganges und des Bipo-lartransistors mit flächenhaften PN-Übergängen: W. B. Shockley.
1948 - 26.6.1948 Am 23.12.1947 angem. US-Pat. 2569347: Transistor: J. [[Begriff_Bardeen|Bardeen
, W. H.
Brattain
und W. B. Shockley]]
1948 - US-Patentanmeldung zum Flächenkontakttransistor durch W. B. Shockley, erteilt 1951.
1948 - W. Shockley u.a. erfindet in USA den Transistor
1949 - Berechnung des Strom-Spannungs-Verhaltens von PN-Übergängen und Flächentransistoren unter Annahme vereinfachter Bedingungen zum Dotierungsverlauf usw. durch W. B. Shockley.
1950 - Erstauflage des grundlegenden Lehrbuches zur Transistorelektronik "Electrons and holes in semiconductors", Autor: W. B. Shockley.
1951 - Erstmalige Herstellung von NPN-Flächentransistoren durch Umdotieren und Ziehen aus der Schmelze (grown crystal method): W. B. Shockley, M. Sparks und G. Teal bei den Bell Laboratories.
1952 - Aufstellen eines Modells zur Generation und Rekombination von Ladungsträgern in der verbotenen Zone des Bändermodells eines Halbleiters ([[Begriff_Shockley|Shockley
-
Read
-Modell) durch W. B.
Shockley
und W. T.
Read
.]]
1952 - Aufstellen eines Modells zur Generation und Rekombination von Ladungsträgern in der verbotenen Zone des Bändermodells eines Halbleiters (Shockley-Read-Modell) durch W. B. Shockley und W. T. Read.
1952 - Entwurf des Prinzips des Sperrschichtfeldeffekttransistors durch W. B. Shockley.
1956 - Verleihung des Nobelpreises für Physik für die wissenschaftlichen Leistungen zur Erfindung des Transistors an J. [[Begriff_Bardeen|Bardeen
, W. H.
Brattain
und W. B. Shockley.]]
Zuletzt geändert am 20.07.2016 16:47 von VDE\Administrator