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Halbleiter_Transistoren_und_Mikroelektronik
Energierecht
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Stichwort: Bardeen
1946 - 1946/1947 Forschungen zu den elektrischen Eigenschaften an Halbleiteroberflächen und -grenzschichten, Einführung des Begriffes Oberflächenzustände für alle elektrisch bedeutsamen Besonderheiten an diesen Schichten durch J. Bardeen.
1947 - Erfindung des Punktkontakttransistors, Vorführung eines funktionierenden Nie- derfrequenzverstärkers mit Punktkontakttransistoren: J. Bardeen und W. H. Brattain.
1948 - 26.6.1948 Am 23.12.1947 angem. US-Pat. 2569347: Transistor: J. Bardeen, W. H. Brattain und W. B. Shockley
1948 - Erste wissenschaftliche Veröffentlichung über den Transistor im "Physical Review", "The transistor, a semiconductor triode", Autoren: J. Bardeen und W. H. Brattain.
1948 - J. Bardeen und W.H. Brattain erfinden in USA den Transistor. In USA werden erste pumpenlose Ignitronen in Betrieb gesetzt.
1948 - US-Patentanmeldung des Punktkontakttranistors durch J. Bardeen und W. H. Brattain, erteilt 1950.
1956 - Verleihung des Nobelpreises für Physik für die wissenschaftlichen Leistungen zur Erfindung des Transistors an J. Bardeen, W. H. Brattain und W. B. Shockley.
1957 - Quantenmechan. Deutung der Supraleitung (BCS-Theorie): L. N. [[Begriff_Cooper|Cooper
, J. R.
Schrieffer
und J. Bardeen (vgl. 1911)]]
Zuletzt geändert am 20.07.2016 16:43 von VDE\Administrator