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Stichwort: Brattain
1947 - Erfindung des Punktkontakttransistors, Vorführung eines funktionierenden Nie- derfrequenzverstärkers mit Punktkontakttransistoren: J. [[Begriff_Bardeen|Bardeen
und W. H. Brattain.]]
1948 - 26.6.1948 Am 23.12.1947 angem. US-Pat. 2569347: Transistor: J. [[Begriff_Bardeen|Bardeen
, W. H. Brattain und W. B. Shockley]]
1948 - Erste wissenschaftliche Veröffentlichung über den Transistor im "Physical Review", "The transistor, a semiconductor triode", Autoren: J. [[Begriff_Bardeen|Bardeen
und W. H. Brattain.]]
1948 - J. [[Begriff_Bardeen|Bardeen
und W.H. Brattain erfinden in USA den Transistor. In USA werden erste pumpenlose Ignitronen in Betrieb gesetzt.]]
1948 - US-Patentanmeldung des Punktkontakttranistors durch J. [[Begriff_Bardeen|Bardeen
und W. H. Brattain, erteilt 1950.]]
1956 - Verleihung des Nobelpreises für Physik für die wissenschaftlichen Leistungen zur Erfindung des Transistors an J. [[Begriff_Bardeen|Bardeen
, W. H. Brattain und W. B. Shockley.]]
Zuletzt geändert am 20.07.2016 16:43 von VDE\Administrator